距离长鑫科技的科创板IPO审核状态由“中止”变更为“已问询”仅过去两天后，另一家国产存储巨头——长江存储也于5月19日正式向证监会递交了IPO辅导备案。这意味着在AI驱动的全球芯片超级周期中，两家具备世界竞争力的中国存储公司同时走向资本市场。

目前，市场对长江存储与长鑫科技的IPO估值分别为约3000亿元和超万亿元。而存储芯片可谓当前最为火热的AI赛道，这显然不仅仅是两家科技公司的融资事件，而是A股结构性变化的重要信号。

不同方向的技术突围

中国存储芯片领域的这两大龙头公司，实际上技术路径迥异，也都有各自的优势与短板。

作为中国大陆唯一具备3D NAND完整产业链能力的IDM企业，长江存储凭借自主研发的Xtacking晶圆键合技术，走出了一条独特的路径。最新数据显示，其已在NAND技术层数上全面追赶国际同行——294层3D NAND已实现大规模量产，良率稳定在90%以上，性能指标足以与国际主流产品正面竞争。

长江存储的技术路径之所以能实现“弯道超车”，核心原因在于NAND Flash对前端光刻机精度的依赖远低于DRAM。3D NAND的性能提升主要依靠垂直方向的层数堆叠和晶圆键合工艺，而非极限线宽微缩。这使得长江存储在EUV设备被全面禁运的情况下，依然能通过自研Xtacking架构实现代际追赶，甚至在某些领域取得领先。韩国业界普遍认为，在3D NAND堆叠层数上，中国与国际巨头的差距已经“基本消失”。

从产能规模看，长江存储武汉一二期月产能已达20万片，2025年全球NAND市占率已达13%，其在国内服务器厂商中的国产化率也从12%升至20%，手机厂商采购量激增。美光在NAND领域的全球份额持续萎缩，三星虽仍以约34%的市占率领先，但壁垒正在被逐步侵蚀。

长江存储加速IPO进程背后，深层逻辑是紧迫的资金需求与产业话语权争夺。三期工厂正处于设备安装的关键阶段，国产设备采购占比虽然首度突破50%，但这只是摆脱供应链依赖的第一步，后续设备验证、产能爬坡都需要持续且充裕的资本投入。

与长江存储的NAND赛道相比，长鑫科技所在的DRAM赛道则要残酷得多。DRAM的性能提升高度依赖平面晶体管和电容结构的极限微缩，这意味着先进光刻机是绕不开的核心瓶颈。长鑫目前已实现17nm D4z节点DRAM的规模化量产，DDR5/LPDDR5X速率已达国际主流水准，但其量产节点较三星、SK海力士的1b纳米（约12-13nm）仍存在约两至三年的代际差距。HBM领域的追赶更为艰难——长鑫目前尚处于HBM2验证阶段，HBM3预计2026年底量产，而三星与SK海力士已实现HBM3E的规模化出货，并正在向HBM4迈进。

但景气周期为长鑫弥补了部分技术上的劣势。2026年一季度，长鑫科技营收达508亿元，同比增长719%，归母净利润247亿元，实现了从年亏百亿到日赚近4亿的历史性跨越。招股书预计，2026年上半年营收将达1100亿至1200亿元，归母净利润500亿至570亿元。

长鑫的IPO估值预期在一万亿至两万亿元之间，而SK海力士2026年预期市盈率约为12.5倍，按照12.5倍前瞻市盈率乘以1400亿元（市场预期的长鑫全年净利润），对应约1.75万亿元市值。长鑫此次拟募资295亿元，其中75亿元用于产线技术升级、130亿元用于DRAM技术升级、90亿元用于前瞻研发。这种巨量融资既是产业升级必须跨过的门槛，也是市场需要消化的资金冲击。

存储双巨头在同一周内披露IPO关键进展，看似巧合，实则反映了中国半导体产业战略意图的一致性——将制造端核心资产加速证券化，借助资本力量加速技术和产能的追赶。据券商预测，两家公司完成上市后，将在5年内填补超过100万片的产能缺口，10年内再扩产100万片以参与全球竞争，国内存储设备公司收入在未来3至5年内有望实现翻倍甚至数倍增长。

不会终结科技牛市

如果将中国存储双巨头放在全球行业坐标中衡量，既存在与海外同行之间的落差，也有独特的结构性优势。

截至去年底，长鑫科技在全球占据大约7.67%的市场份额，距离三星和SK海力士均超过34%的体量依然悬殊。从营收规模看，三星仅半导体业务今年一季度营业利润达53.7万亿韩元（约2882亿元人民币），是长鑫的五倍多。这种体量差距意味着长鑫在技术研发投入、产能扩张和定价权上的相对劣势，在一段时间内还会持续。

但在AI引发的这一轮存储器需求爆发中，长鑫占据了一个特殊的位置。面对HBM市场的超高利润空间，三星与SK海力士将大量产能集中转投向HBM，大幅压缩了传统DDR4、DDR5的供应，而长鑫恰好在DRAM上延续了大规模产能投放。在全球普通DRAM供给端出现结构性短缺的背景下，长鑫作为少数保持大规模产能的供应商，填补了市场缺口，拿到了价格暴涨的最大红利。

今年以来，全球DRAM合约价同比上涨90%以上，NAND Flash涨幅亦超过70%。高盛进一步预计，2026年DRAM供需缺口将达4.9%，为近15年最严重的供不应求，这一短缺格局至少会延续至2027年。对于长鑫和长江存储而言，这意味着在上市后的关键窗口期内，业绩基本面大概率将受到强劲外部需求的支撑，从而缓解短期估值压力。

站在更宏观的视角来看，当前存储芯片行业的景气起点与上一轮消费电子周期有着本质不同。过去，DRAM和NAND的价格波动几乎完全取决于PC与智能手机的出货量。而AI驱动下的这一轮周期，需求增长来源已变为服务器资本开支升级、企业级存储扩容和AI终端设备同步扩展的多重引擎，这与2008至2010年间消费电子驱动的存储景气周期存在明显差异。

存储行业从“消费电子配件”升级为“AI基础设施”的新身份，正在改变其周期属性。SK海力士2026年全产品线产能提前售罄、上游大厂主动以毛利率60%作为定价底线的信号，都说明“量价齐升+供应端克制”正在替代“扩产冲动—价格崩盘—洗牌”的旧有行业循环。

尽管如此，市场仍担心存储双巨头的IPO会“抽干”资金而终结A股的科技牛市。实际上，A股科技板块当前已基本不存在“稀缺性溢价”的土壤。十年前暴风科技以200倍市盈率上市、连收25个涨停板的时代已经过去，当时市场缺少优质科技标的，资金在存量博弈中追逐少数稀缺品，形成了估值泡沫。而现在科创板已集聚600多家硬科技公司，盛合晶微、海光信息、中芯国际等重量级企业已经在市场上找到了各自的定价基线。在优质标的供给加速的环境中，市场更可能以结构性的方式消化资金流入，而非将全部预期集中于某一家公司。

真正支撑牛市的结构性力量在于，存储双巨头的上市将为A股提供一种从未有过的新型核心资产——具备全球定价权的本土存储原厂。此前，A股市场有设备商、材料商、模组厂和设计公司，唯独缺少像三星、SK海力士、美光一样的“原厂型企业”。而存储原厂在产业链中处于利润分配的最上游，其资产证券化有助于将AI产业的红利更全面地沉淀在A股，设备、材料、封测等在内的全产业链订单都因两大存储龙头的业绩兑现而加速释放，这些企业的估值参照系也不再是海外同行的折价，而是沿着完整国产产业链的内生价值重新定价。

毫无疑问，这一轮由长鑫和长江扩产拉动的国产替代浪潮，远远不止于两家公司自身的业绩兑现，其本质是中国半导体产业链整体竞争力的系统性跃升。从一个更长的历史视角看，这可能会成为中国科技资产重估阶段的新起点。（财富中文网）